标签:电气与电子高温材料
沙特基础工业公司介绍了LNP™为8 tf36e™化合物,一种新的专业材料,有助于解决老化测试插座的严格的要求(比特)用于压力测试double-data-rate (DDR)内存集成电路(ic)。
耐高温增强功能
针的数量和DDR ICs的测试温度增加和他们的尺寸缩小,部分组件材料必须提供增强的属性。沙特基础工业公司的新化合物提供了非常高的流来帮助使复杂,小型位设计;优良的尺寸稳定性和耐高温期间增强部分功能测试;和高导热系数快速散热。
现任导热填充尼龙等材料相比,LNP™为™8 tf36e化合物提供更高的流量和更好的尺寸稳定性。客户可以受益于使用这种新材料,可以解决的全方位需求。
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DDR内存芯片的需求稳步增长的同时,由于扩大了使用移动设备和电脑之外的应用程序中,如汽车和云计算系统,依靠高数据率,”约书亚Chiaw说,主任、业务管理、现况和改性聚苯醚、沙特基础工业公司。”
评估即将代DDR ICs,老化测试插座需要新材料解决方案与改进的属性和沙特基础工业公司是解决未满足的需要。我们正在进行的投资在高性能材料演示了半导体行业我们的坚定承诺。”
轻松地承受150°C的典型测试温度
Double-data-rate记忆ICs,获取数据两次每个处理器时钟周期,加快数据传输,以满足游戏的高吞吐量的要求,人工智能和其他数据密集型应用程序。这种技术施加了更大压力测试插座制造商,其产品必须适应更高的电压,温度较高的环境中,更小的形式因素和增加数量的针。由于这些原因,一些设计DDR ICs要求精度高、高耐用性和可加工性。
LNP™为™8 tf36e复合特性高流量,帮助实现小型化和复杂的设计有许多需求。在测试过程中,它可以承受150°C的典型测试温度,同时保持良好的尺寸稳定性,以帮助改善测量的准确性。这种高温功能可以允许重用多次位没有退化。此外,LNP™为™8 tf36e化合物可以处理极端温度高达260°C,建筑功能来解决高温位的需求在未来。最后,快速散热测试后,新产品提供了高导热系数高达4.5 w /该调查。
沙特基础工业公司的新化合物适合固定,结构部分,包括锁存和适配器,在程序集。
“进步在内存芯片在老化测试插座会有新的要求珍妮说:“王、导演、配方和应用程序中,亚太地区,沙特基础工业公司。”
随着DDR ICs的力量增加,温度控制是至关重要的,验证期间一致强调位系统中所有设备的可靠性测试。我们新的LNP™为™材料不能达到现任什么材料。它不仅提供高导热性,但它也提供其他关键属性,有助于成功的测试。”
新LNP™为™8 tf36e化合物是全局可用。
沙特基础工业公司的现况™为™产品范围
来源:沙特基础工业公司
